@misc{С._Т._Мурадян_Исследование,
 author={С. Т. Мурадян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Измерена величина индуцированного в двумерных n-p-n структурах фототока в зависимости от положения падающего на их поверхности фокусированного лазерного луча. Исследуемые образцы были получены из p-легированной GaAs/In0.11Ga0.89As/Al0.33Ga0.67As гетероструктуры путём локального перекомпенсационного легирования кремнием. Dependence of the magnitude of induced photocurrent on the position of the focused laser beam inclined on the surface was measured in two-dimensional n-p-n structures. Investigated samples were fabricated from p-doped GaAs/In0.11Ga0.89As/Al0.33Ga0.67As heterostructure by the local overcompensation doping with silicon.},
 title={Исследование фототока, индуцированного лазерным лучом, в планарных двумерных n-p-n структурах},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science, Chemical Physics},
}