@misc{Н._С._Арамян_Время,
 author={Н. С. Арамян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={В приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе полупроводникового диода с p–n-переходом получена формула для расчета времени жизни, пригодная при произвольных уровнях инжекции. p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում անհավասարակշռված լիցքատարների էքսպոնենտային բախշման մոտավորությամբ ստացված է բանաձև` կյանքի տևողությունը հաշվելու համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: In the approximation of exponential distribution of unequilibrium charge carriers in the base of semiconductor p–n-junction diode, a formula for lifetime calculation is obtained, which may be used at arbitrary injection levels.},
 title={Время жизни неравновесных носителей заряда в базе полупроводникового диода c p–n-переходом при произвольных уровнях инжекции},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science, Radiophysics},
}