@misc{А._Д._Саргсян_Зависимость,
 author={А. Д. Саргсян and Д. Г. Саркисян and Е. Пашаян-Леруа and К. Леруа and П. Морошкин and А. Вейс},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Разработана новая наноячейка, имеющая плавное изменение толщины столба паров атомов в интервале L = 350÷5100 нм, которая позволила исследовать поведение резонансного поглощения на линии D1 атомов Cs при изменении толщины от L=λ/2 до L=5λ с шагом λ/2 (λ–резонансная длина волны лазера 894 нм) и при изменении лазерной интенсивности. Մշակված է նոր նանոբջիջ, որը հնարավորություն է տալիս կատարել ատոմական գոլորշիների սյան հաստության սահուն փոփոխում (350÷5000 նմ): Այս նանոբջջի օգնությամբ հետազոտված է Cs-ի D1 ատոմական գծի կլանման վարքը, L = λ/2 − 5λ հաստւթյունների տիրույթում, λ/2 քայլով (լազերի ռեզոնանսային ալիքի երկարությունը 894 նմ է) լազերային ճառագայթման տարբեր ինտենսիվության դեպքում: A new nanocell with a smoothly varying longitudinal thickness of the atomic vapor layer L in the range of 350 ÷ 5100 nm allowing to study the resonant absorption of D1 line of Cs atoms for thicknesses changing from L = λ/2 to L = 5λ with the step of λ/2 (λ = 894 nm is the resonant laser wavelength) and for different intensities is developed.},
 title={Зависимость ширины линии D1 поглощения цезия от толщины столба атомарных паров атомов},
 type={Հոդված},
 keywords={Science, Physics, Optics; Light},
}